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技術文章
TECHNICAL ARTICLES關于Str參數Str是用于衡量表面性狀均一性的標準，其計算方式為：自相關函數沿最快衰減至特定值S（默認取0.2）方向的水平距離（與Sal參數含義相近），除以沿最慢衰減至S方向的水平距離所得的商。Str的數值范圍在0到1之間，其物理意義為：當數值接近1時，表明表面呈現各向同性特征（即在所有方向上均勻一致）；當數值接近0時，表明表面具有各向異性特征（即呈現明顯的周期性或方向性結構）。Sal與Str參數的作用通過評估Sal（自相關長度）和Str（均一性指標），可深入分析表面的各向同...
以下為三種不同功率激光作用下的砂輪表面形貌，以及對應的Sa、Sq參數情況：50W激光加工的砂輪表面形貌和粗糙度100W激光加工的砂輪表面形貌和粗糙度150W激光加工的砂輪表面形貌和粗糙度從直觀觀察來看，這三個樣本的表面形貌沒有顯著差別，并且粗糙度數據與激光功率之間不存在明顯的關聯，難以通過這些指標對三個樣本的差異進行量化表征。不過，我們發現它們的Sal（自相關長度）呈現出一定的趨勢變化。Sal是什么？Sal即自相關長度Sal即自相關長度，它是指自相關函數朝著指定值s（默認取0...
金相制備完成后，即可在光學顯微鏡下對金屬晶粒結構進行可視分析。與傳統光學顯微鏡的極限相對應，放大倍數通常在25至1000倍。亞顯微層次（小于1μm）以及低至原子層次的晶格缺陷、結構和元素使用電子顯微鏡進行評估。表1：應用對比技術檢查金屬結構的示例對比技術有很多對比技術可用于評估金屬的結構特性。對比技術的選擇取決于很多因素，包括要處理的材料和要分析的特性。有哪些對比技術可以使用，它們應在什么時候使用？明場明場是適合各種材料分析的標準技術。裂紋和孔洞、非金屬相和氧化產物首先會在未...
半導體憑借對導體與絕緣體特性的精準切換，實現電流的智能化控制。當前主流半導體材料均具備四價原子結構，能夠在晶格內部構建可調控的電子流動路徑，為集成電路、晶體管、二極管等核心器件提供功能支撐，構成了整個信息產業的底層技術架構。三大主流半導體材料特性與分布硅（Si）：作為最主要的半導體材料來源，硅廣泛存在于石英巖、硅砂礦床，儲量極為豐富，其提純和結晶工藝也已十分成熟。自20世紀50年代起，硅便成為半導體芯片的首*材料。得益于易提取、純化及結晶的特性，加之較高的熔點（相較于鍺）使其...
為確保金屬結構特性的正確表達，樣品必須正確制備。下面的步驟是對這一過程的一般介紹，但是金相制備方法應根據材料而定。步驟1：切割用于微觀結構分析的工件采用濕磨料切割工藝從工件上取一個有代表性的樣品。選擇的切割工藝應確保樣品不會受到任何改變結構的損壞，并應適合材料和應用。圖7：帶有夾緊齒輪的濕磨料切割機，用于從齒輪的齒截面取樣。通常，該截面部分將進行感應硬化或表面硬化。樣品將用于檢測截面的結構和硬度。步驟2：鑲嵌用于微觀結構分析的樣品鑲樣過程用于固定切割件以使其更容易處理，同時用...
金屬的內部結構是由稱為“晶粒”的單個晶體區域組成的。這些晶粒的結構、尺寸和方向取決于材料的成分（合金）和材料的制造方法（如鍛造、鑄造或增材制造）。這些晶粒是在熔融物質凝固、與其他物質和其他成分（如相和污染物）相互作用時形成的。通常，晶粒結構要調整為適合技術應用。晶粒的尺寸、方向和其他結構特性直接關系到這些材料的機械和技術性能。結構特性還取決于后續的外部影響。這些影響包括：化學影響（如腐蝕）化學和/或物理影響（如熱處理工藝）機械影響（如成形過程后的鍛造、軋制、彎曲等）微觀結構圖...
在納米級精密制造蓬勃發展的時代，3D光學輪廓儀已成為精密檢測領域的核心技術裝備。這臺搭載白光干涉與多波長干涉雙引擎的精密儀器，在材料科學實驗室和半導體產線中，每秒可產生數萬組包含相位、光強、梯度等多維特征的測量數據。如何從這些海量數據中提取有價值的信息，成為制約檢測效率的瓶頸。數據預處理是構建3D形貌圖的基石。原始干涉條紋數據需經過去噪聲處理，通過小波變換分解信號后，可有效分離高頻噪聲與低頻形貌特征。波前校正是消除光學系統自身像差的關鍵步驟，基于Zernike多項式擬合算法可...
Sensofar非接觸式粗糙度測量儀（如Sneox系列）采用光譜共焦技術，通過垂直入射光束與被測表面反射信號的相位差實現亞納米級精度測量，避免了傳統觸針式設備對表面的劃傷風險。其操作流程涵蓋環境準備、參數配置、數據采集與結果驗證四大核心環節，以下為標準化操作規范。一、環境與設備預檢操作前需確保環境滿足技術要求：溫度20±2℃、濕度40%-60%，避免強光直射與空氣擾動。啟動設備前需完成三重檢查：1.光學組件：檢查物鏡透鏡組是否存在指紋或灰塵污染，使用無塵布蘸取9...